- 非IC关键词
企业档案
- 相关证件: 
- 会员类型:普通会员
- 地址:深圳市福田区华航社区中航路18号新亚洲国利大厦A座12F/香港:九龍塘观塘成业街19-21號成业工业大厦1608室號
- E-mail:yishanic@126.COM
产品分类
- SDRAM(同步动态存储器)(5)
- Nand flash(1)
产品信息
型号:MT40A256M16GE-083E:B
品牌:MICRON镁光
类型:原装现货 库存:充足
封装:TBGA96 批号:new+ROHS
价格:询查 样品:申请 规格书:联系客服
描述:SDRAM-DDR4-存储器-IC-4Gb-(256M-x-16)-并联-1.2GHz-96-FBGA(9x14)
DDR4相比DDR3的区别有三点:16bit预取机制(DDR3为8bit),同样内核频率下理论速度是DDR3的两倍;更可靠的传输规范,数据可靠性进一步提升;工作电压降为1.2V,更节能。
DDR4内存的标准规范仍未终定夺。三星这条样品属于UDIMM类型,容量为2GB,运行电压只有1.2V,工作频率为2133MHz,而且凭借新的电路架构可以达到3200MHz。相比之下,DDR3内存的标准频率仅为1600MHz,运行电压一般为1.5V,节能版也有1.35V。仅此一点,DDR4内存就可以节能多40%。根据此前的规划,DDR4内存频率有可能高达4266MHz,电压则有可能降至1.1V乃至1.05V。三星表示,这条DDR4内存使用了曾出现在高端显存颗粒上的“PseudoOpenDrain”(虚拟开漏极)技术,在读取、写入数据的时候漏电率只有DDR3内存的一半。三星称,2010年12月底已经向一家控制器制造商提供了这种DDR4内存条的样品进行测试,并计划与多家内存厂商密切合作,帮助JEDEC组织在2011年下半年完成DDR4标准规范的制定工作,预计2012年开始投入商用。
购买注意:
1:由于型号种类繁多,价格和库存数量时有更新,请顾客一定要与我们沟通咨询后才可下单。
2:买家咨询的时候请务必说清楚(完整型号、封装、数量),以便我们及时报价。
3:买家无提前咨询而下单的,如果由于缺货或者涨价而导致无法发货的,我司不承担任何责任,一律作退款处理。
4:生产型企业可申请月结。
5:千元以上免运费(特殊商品除外)。
6:报价不含任何销售税,计算含税价请加税点。